台阶仪用于样品表面从微米到纳米尺度的轮廓测量，可以进行台阶高度、膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波纹和表面粗糙度等的测量。CP200国产台阶仪，仪器采用亚米级分辨率的位移传感器、超低噪声信号采集、超精细的运动控制、

性能特点

1、重复性和再现性，满足被测件测量精度要求。

单拱龙门式设计，结构稳定性，大大降低了周围环境中声音和震动噪音对测量信号的影响，提高了测量精度。

线性可变差动电容传感器（LVDC），具有亚埃级分辨率，13um量程下可达0.01埃。高信噪比和低线性误差，使得产品能够扫描到几纳米至几百微米台阶的形貌特征。

2、超微力恒力传感器： 1-50mg可调。

传感器设计使得在单一平台上即可实现超微力和正常力测量。测力恒定可调，以适应硬质或软质材料表面。超低惯量设计和微小电磁力控制，实现无接触损伤的接触式测量。

3、超平扫描平台。

系统配有直线度导轨，运动中的细微抖动，提高扫描精度，真实反映工件微小形貌。

4、顶视光学导航系统，5MP分辨率彩色相机。

系统配备500万像素高分辨率彩色摄像机，即时进行高精度定位测量。可以将探针的形貌图像传输到控制电脑上，使测量更加直观。

5、全自动XY载物台， Z轴自动升降、360°全自动θ转台。

的XY平台结合360°连续旋转电动旋转台，可以对样品的位置以及角度进行调节，三维位置均可以调节，利于样品调整，提高测量效率 。

6、数据采集和分析系统。

CP200国产台阶仪能够测量几个纳米到330μm的台阶高度。这使其可以准确测量在蚀刻、溅射、SIMS、沉积、旋涂、CMP等工艺期间沉积或去除的材料；可以测量表面的2D形状或翘曲。这包括对晶圆翘曲的测量，例如在半导体或化合物半导体器件生产过程中，多层沉积层结构中层间不匹配是导致这类翘曲产生的原因。还可以量化包括透镜在内的结构高度和曲率半径；能够测量在生产中包含多个工艺层的半导体或化合物半导体器件所产生的应力。使用应力卡盘样品支撑在中性位置测量样品翘曲。然后通过应用Stoney方程，利用诸如薄膜沉积工艺的形状变化来计算应力。

技术参数

技术测量：探针式表面轮廓测量技术

样品观测：光学导航摄像头：500万像素高分辨率 彩色摄像机，FoV，1700*1400μm

平台移动范围X/Y：电动X/Y（100mm*100mm）（可手动校平）

样品厚度：50mm

载物台晶圆尺寸：150mm（6吋），200mm（8吋）

台阶高度重复性：＜1nm（测量1μm台阶高度，1δ）

垂直分辨力：分辨力＜0.25 Å（量程为13um时）

仪器尺寸: 640*626*534(mm)

仪器总重量：<50kg